ترانزيستور اثر ميداني حساس به يون با استفاده از لايه برداري مكانيكي

  • اعتبار
  • قابل خرید

اداره اختراع : اداره ثبت اختراعات ایران

گواهی ثبت اختراع ترانزيستور اثر ميداني حساس به يون با استفاده از لايه برداري مكانيكي

شماره اظهارنامه : 139750140003001894

شماره ثبت : 97170

تاریخ ثبت : 1397/03/04

نام مالک/مالکین : امين فرهنگ فر و فاطمه شمس عزت

نام مخترع/مخترعین : امين فرهنگ فر و فاطمه شمس عزت

طبقه بندی بین المللی : H01L 29/772

خلاصه شرح اختراع :

در اين اختراع يك ترانزيستور اثر ميداني حساس به يون (ISFET) و دستگاه آناليزور آن ساخته شده است. براي ساخت اين الكترود از يك ترانزيستور نوع اثر ميداني FET استفاده ميشود. همچنين يك دستگاه آناليز پارامترهاي ISFET، كه بتواند پارامترهاي تجزيه اي شيميايي را بدست آورد طراحي و ساخته شده است. از اين سيستم ميتوان به عنوان يك بستر براي ساخت انواع حسگرهاي شيميايي و زيستي استفاده كرد. براي اين منظور ميتوان انواع لايه نشانيها را بر روي سطح الكترود انجام داد و حسگرهاي مختلفي را ساخت. همچنين اين سيستم به گونه اي طراحي شده است كه ميزان حساسيت و حد تشخيص يك آناليز نسبت به سيستمهاي مشابه بهبود خواهد يافت. دستگاه و الكترود طراحي شده در اين اختراع نسبت به نمونه خارجي بسيار مقرون به صرفه بوده و ميتوان از آن به عنوان يك كالا استفاده كرد. يك پارامتر بسيار مهم در اين طرح نويز مناسب اين سيستم آناليز ميباشد كه اين امر با انتخاب ترانزيستور با نويز كم و طراحي بسيار خوب مدارات و شيلد كردن كلي سيستم بدست آمده است. همچنين لازم به ذكر است كه، برخلاف الكترودهاي ISFET تجاري، در اين سيستم ميتوان با استفاده از سيستمهاي ساده به مانند الكتروشيمي، نيز براي لايه نشاني استفاده كرد.

افزودن نظر

امتیاز

نظرات (0)

0.0 از 5.0