الكترود تركيبي pH از نوع غشا سراميكي برپايه Sc-Ce-Sr با سنسور دمايي و تكنولوژي Double junction اصلاح شده.

  • اعتبار
  • قابل خرید

اداره اختراع : اداره ثبت اختراعات ایران

گواهی ثبت اختراع الكترود تركيبي pH از نوع غشا سراميكي برپايه Sc-Ce-Sr با سنسور دمايي و تكنولوژي Double junction اصلاح شده.

شماره اظهارنامه : 139950140003000470

شماره ثبت : 101975

تاریخ ثبت : 1399/01/23

نام مالک/مالکین : معين اشكاني رضابيگلو

نام مخترع/مخترعین : معين اشكاني رضابيگلو

طبقه بندی بین المللی : G01N 27/00 G01K 7/00

خلاصه شرح اختراع :

الكترود تركيبي pH از نوع غشا سراميكي برپايه Sc-Ce-Sr با سنسور دمايي و تكنولوژي Double junction اصلاح شده،در زمينه فني سنسور هاي الكتروشيميايي ميباشد كه براي اندازه گيري فعاليت يون هيدروژن در صنايع شيميايي استفاده ميشود ،الكترود هاي مرسوم pH از نوع غشا شيشه اي،به دليل ساختار آن بصورت مداوم نياز به كاليبراسيون دارند و داراي نوسان و سرعت پاسخگويي و تكرار پذيري پايين ميباشد كه معمولا وابسته به عمر الكترود ميباشد و گاهي وجود تركيباتي مضرر باعث تخريب ساختار بخش رفرنس ميشوند،همچنين شوك حرارتي باعث ترك برداشتن غشا ميشود.وجود فضاي خالي در بخش محفظه غشا، مانع از استفاده الكترود بصورت افقي و يا معكوس ميشود. به دليل بالا بودن آمپدانس غشا، وجود سنسور دما در كنار غشا،باعث افزايش نوسان و كم شدن دقت الكترود هاي مرسوم ميشود. در اين اختراع،تغيير ساختار غشا باعث افزايش سرعت پاسخ دهي و مقاومت شيميايي و حذف تقريبي Drift شده و رنج دمايي را از °c5- تا °c90 افزايش داده است،افزودن septum باعث ثبات محلول غشا شده است و همچنين با ايجاد پوشش مخصوص بر روي اتصالات سنسور دما،اثر نويز برطرف شده است،با افزودن مدار low-pass filter باعث ثبات و افزايش تكرار پذيري در مقايسه با الكترود هاي مرسوم شده است.

افزودن نظر

امتیاز

نظرات (0)

0.0 از 5.0